化合物半导体材料的分子束外延是什么？其XRD也就是说又是如何？

移至的处理过程里面上一部份As2关键在于了较厚的吸用为而福用为，但是大部份的As2在较厚移至的处理过程里面上进到了保持稳定Ga位的Ga原子核时，As2分解为AS原子核开展化学吸用为，转变如此一来比如说层。

但是当较厚无法Ga原子核的时候，As2在金属板较厚也有一定的生命期，但是不就会停留很长一段时间，最终就会全部解吸,当铋流诱发的分子可束为As4时,在贵Ga的GaAS金属板较厚，首先是As4被吸用为，并时有发生移至。

由于As4分子可的吸用为比值极小(<0.5)，所以大部份As4就就会时有发生解吸,剩下的As4就与Ga时有发生化学吸用为沉淀,因此MBE栖息于里面上换用As2比As4都有著更较高的吸用为比值，有利于较高铋反应物物料的栖息于。

所以开到金属板的分子可或原子核并非基本上在金属板上转变如此一来比如说物料，由于这些分子可或者原子核带有一定的能量原产，并且金属板较厚带有更较高的栖息于低温。

随着低温升较高原子核的吸用为比值减低，对于Ⅲ族人金属元素吸用为比值是Al>Ga>In，而对于V族人金属元素N分子可束比如说的栖息于流速是由折射到金属板较厚的分子可或者原子核的吸用为比值和较厚生命期决定的。

Ⅲ族人金属元素吸用为比值的相反、束流的相反都就会相反比如说层的栖息于流速，所以计数多元系化合一物积体电路物料的组份时，我们可以通过Ⅲ族人金属元素的栖息于流速来确切Ⅲ族人金属元素在物料里面上的组份。

与其他的乳胶栖息于关键技妖术相较较，MBE关键技妖术带有特点，栖息于流速、组份、总重量的度角度支配，一般上述情况下，MBE的栖息于流速很较高，必需了折射原子核或分子可在栖息于较厚应有的移至，用MBE关键技妖术栖息于的乳胶较厚极为平直。

由于MBE所带有的战妖术上，MBE被最常的用来栖息于Ⅲ-V族人较高射频移至率气态管(HEMT)、复合合双极气态管(HBT)、量子低能较高功率、量子点射频元件、超晶格射频元件等等。

GSMBE物料栖息于

本实验所换用的物料栖息于控制系统设备如平面上图表表。

该控制系统主要有三个匀，两个快速进样房(FEL)、一个预处理房和一个栖息于房，三房两者密切关系隔离，禁止三房联通，进样房的气态主要由分子可燃气来维持，其气态度一般在～10-9Torr。

AsH3和PH3的输水是通过气路里面上的灌注力开展支配，精确支配气态的灌注力就可以支配转到栖息于房的As2和P2的分子可天内。

MOCVD栖息于物料处理过程里面上金属板较厚的As2和P2的ppm均受金属板低温的不良影响更大，但是GSMBE里面上As2和P2只均受气路里面上气态的灌注力和Cell混合物低温的不良影响，通过Cell借助于口处Cracker的混合物转到栖息于房的是As2或者P2和H2，所以金属板低温对As2和P2的ppm不良影响极小。

这样的二聚一物极度有利用铋化一物和锌一物的栖息于，这也是GSMBE目前所带有的一个更大战妖术上，Ⅲ族人流换用7NGa、7NAl、和7NIn，比如说剂为7NSi和SNBe，同时控制系统里面上还装配了CBr4作过为碳比如说剂。

在栖息于物料之前，我们无需确切相异低温下金属板较厚的束流体积，束流的体积与流的较高密度热力灌注有关，相异流带有相异的较高密度热力灌注，如平面上图表表。

In带有最较高的较高密度热力灌注，时是是Ga、Al、Be、Si和C，所以在物料的栖息于处理过程里面上，In束流烧的低温较低而Al束流烧的低温较较高，作过为比如说剂的Be要支配Be烧的低温不用太低，否则就会大量喷借助于，有可能会酸雨匀。

由于Si的较高密度热力灌注很较高，所以物料掺Si的时候硅束流烧的低温更较高，一般都在1150℃以上，由于C的较高密度热力灌注太低，所以为了赢得C的比如说，换用CBr4作过为比如说流。

右边简便统计分析了相异低温下束流的较高密度热力灌注，相异束流的束流与低温遵从以下人关系：

T为束流的低温，A、B是两个经验值，可以通过检测确实的束流而粗略给予，k为塔祸里面上流的消耗比值，随着流的消耗k也在不断时有发生相反。

平面上图表分别是V90控制系统里面上，In、Ga、AI的束流与低温的人关系，并且通过上固定式对实验天内据开展了粗略。

可以明显看得见，在相同的低温下In的束流最大而AI的束流极小，基本上束流与低温如此一来指天内人关系，相异的流有相异的值A、B，随着束流长一段时间常用，k就会从1逐渐减低，右边的曲里面上央线就就会滑动时有发生行进。

V90 GSMBE控制系统里面上有三种比如说流，分别是Si、Be和C，Si烧和Be烧换用常规的K-Cell，通过支配束流烧的低温支配其在比如说层里面上的比如说，而CBr4为气态，寿在专门的容器里面上，通过灌注力支配来调节其在比如说层里面上的比如说。

在本甫里面上P型比如说剂为了让Be，N型比如说剂为了让Si，平面上图表是GaAS和InP比如说层里面上自由射频ppm和比如说流低温密切关系的人关系。

比如说层物料较高清晰度X射里面上央线晶体合构学(HRXRD)科学研究

化合一物积体电路比如说物料的精确度主要通过三个特别开展连续性，物料的沉淀精确度、物料的激暗特殊性以及物料的电学特殊性，物料的沉淀精确度是比如说物料精确度并不一定的根本。

如果物料借助于现更大的失配或者物料里面上共存着大量的位错，将不良影响到物料的激暗和电学特殊性，以及射频元件的机动性，所以要栖息于较高品质的比如说物料就必须要栖息于较高位错密度、较高沉淀精确度的较高物料。

本甫物料沉淀精确度的并不一定、失配度体积、位错密度体积以及应用程序上的上述情况，主要是通过较高清晰度XRD开展科学研究，较高清晰度XRD妖术是一种非接触、无损害、评价晶体合构精确度的适当手段，它对比如说物料的晶格失配与缺陷带有更较高的灵敏度和清晰度。

通过X射里面上央线晶体合构学好似曲里面上央线可以赢得比如说物料的晶格失配度、组份、总重量、偏向角、比如说物料的度角等文档。

通过X射里面上央线晶体合构学三轴二维放易房内空间晶体合构学平面上图(RSP)里面上点的椭锥状形和原产，可以将物料的Mosaic构造展长与快速反应文档加以区分开，给予比如说物料的侧向和准确度失配度，越来越直观地统计分析比如说物料的晶体合构精确度。

积体电路较高比如说物料的构造连续性通常常用X射里面上央线菱形晶体合构学好似曲里面上央线，通过好似曲里面上央线的半岭长(FWHM)、比如说岭和金属板岭的角度看欠(∆ω)等文档可以连续性借助于比如说物料的组份和失配度以及物料的晶体合构精确度。

但是换用的软件，通过比如说岭和金属板岭的角度看欠开展组份计数时，只有基本上快速反应和基本上弛豫两种数学方法，因此对部份弛豫物料的组份开展计数时可能会致使更大误欠，与菱形晶体合构学好似曲里面上央线相较，X射里面上央线晶体合构学二维放易房内空间平面上图带有越来越丰贵的文档。

通过二维放易房内空间晶体合构学平面上图，可以科学研究物料侧向和平行于比如说较厚的失配度，计数其弛豫层面上和侵入快速反应，给予比如说物料的正确地组份，本甫里面上将换用较高清晰度XRD好似曲里面上央线和X射里面上央线晶体合构学三轴二维放易房内空间晶体合构学平面上图来科学研究积体电路比如说物料的晶体合构精确度。

本甫里面上较高清晰度XRD晶体合构学控制系统换用Philips公司的X’pert较高清晰度多晶折射晶体合构学仪，如上平面上图表，人造卫星有两个激暗侧向上，分别是激暗侧向上l和激暗侧向上2。

换用侧向上1开展打印时，无需暗流有更大的转速才能必需人造卫星上有有限的信号正确地度，此激暗侧向上主要用来测量探头的放房内空间三轴Mapping以及物料构造的精细科学研究。

激暗侧向上2是我们时时实验所用的激暗侧向上，人造卫星前面上可以加相异长度的孔径，带有相异的接均受角，晶体合构学仪晶体合构学仪的探头台带有一个RF马达，可以开展精确的行进或者翻转。

X射里面上央线晶体合构学定律及放房内空间统计分析X射里面上央线晶体合构学的定律比方说，当X射里面上央线折射到较高物料上，经过层与层密切关系晶面上的折射，如果折射和折射的初始条件刚好为2π整天内倍的时候就就会时有发生晶体合构学，如平面上图表表。

但是并不是初始条件为2π就一定就会时有发生晶体合构学，能不用时有发生晶体合构学还与晶体合构的构造因子有人关系，所以折射和折射初始条件刚好为2π整天内倍的时候，有些面上就会时有发生晶体合构学，有些面上就不就会时有发生晶体合构学。

时时换用XRD菱形晶体合构学连续性物料时，一般给定(004)面上，在这个晶面上上闪锌矿构造的Ⅲ-Ⅴ族人积体电路物料带有更大的构造因子，XRD晶体合构学时也带有更较高的正确地度。

角度看ω下定义为折射X射里面上央线和晶面上所如此一来的角度看，2θ下定义为折射暗里面上央线和借助于射暗里面上央线所如此一来的角度看，对于菱形晶体合构学，如果物料无法偏向角并且物料的较厚和探头台基本上平行的时候ω=θ，否则就就会共存着一定欠别。

折射和借助于射暗的初始条件为2π整天内倍的时候，那么X射里面上央线就就会时有发生晶体合构学，这就是布喇格定律，由于一级晶体合构学(n=l)正确地度最大，所以在较高清晰度XRD晶体合构学里面上一般换用一级晶体合构学来连续性晶体合构学曲里面上央线，那么2dsinω=λ，就是X射里面上央线时有发生晶体合构学的基本条件。

为了必需更清楚地统计分析比如说物料的精确度，我们无需统计分析比如说层物料放房内空间晶格点阵(RSP)的原产，从而可以从比如说物料XRD放房内空间Mapping里面上给予更多快速反应原产、弛豫层面上、应用程序上粗糙度等文档。

在放房内空间里面上以折射X射里面上央线可见暗的连续(1/λ)为表面上积作过一个锥状，表面上积的终点在金属板较厚X射里面上央线折射的；也A点，表面上积OA就是折射暗，其与金属板较厚所如此一来的角度看就是ω，折射暗里面上央线OA和晶体合构学暗里面上央线OB的锥状周就是2θ，如平面上图表表，平面上图里面上的锥状就是Ewald进球。

OA、OB的长度固定也就是说，当折射束OA和晶体合构学束OB保持稳定相异角度看的时候，把他们在qx和qz侧向上的平面上乘以，就可以给予实房内空间的ω、2θ角度看与放房内空间平行于金属板较厚的图形qx和直角金属板较厚的图形qz密切关系的人关系，如下固定式：

当开展ω打印的时候，Ewald进球以A点为外围开展翻转，OA与金属板较厚就有相异的锥状周，也就是ω角开展相反，而2θ角也就是说，当Ewald进球锥状周与金属板或者比如说物料的放房内空间点共线的时候就就会时有发生X射里面上央线晶体合构学，在虚里面上央线处金属板时有发生晶体合构学。

ω打印曲里面上央线连续性物料准确度侧向的晶体合构精确度，而ω/2θ打印时，晶体合构学束B点的运动轨迹是直角金属板较厚，所以ω/2θ好似曲里面上央线是连续性物料直角金属板较厚的晶体合构精确度，如平面上图表表。

从平面上图里面上我们可以看得见相异打印连续性物料相异侧向的特殊性，并且平面上图里面上也表示借助于了人造卫星相异发送到角对打印的不良影响，本甫只是介绍了XRD的基本定律。

因由本质

因由认为，该关键技妖术不仅有助减低较厚发散天体物理学现象，提较高物料的分量性和晶体合构精确度，而且必需意味着对物料栖息于处理过程的度角度支配，从而赢得较高品质的较高乳胶，带有平坦的领域前景。

在未来通过换用该关键技妖术可以意味着了很多新的意念，将MBE关键技妖术同量子力学、一天体物理学相合合，就会进一步推动积体电路物料和一天体物理学、低维物料构造、暗射频射频元件以及微射频射频元件的迅速拓展。

参考甫献

[1]杨晓研.积体电路较高功率腔面上SiO/Au涂料的科学研究.积体电路关键技妖术,1993.

[2]郑李安等.较高清晰度多晶多折射X-ray晶体合构学仪在积体电路物料统计分析里面上的领域.暗子学报上,1997.

[3]尹树百.乳胶激暗一理论模型与在实践中.北平:科学借助于版社.

[4]杨晓研,刘杰.GaAS积体电路较高功率腔面上较高折射涂料的科学研究.激暗机械设备工程,1997.

[5]郭长志,陈水莲.原产折射面上发射侧向微腔积体电路较高功率的微腔天体物理学现象.一电磁学报上,1997.

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